フッ素化非晶質炭素膜の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995021429
Publication number (International publication number)：1996222557
Application date： Feb. 09, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置及び実装基板等に使用が検討されているフッ素化非晶質炭素膜、を高速に及び良質に製造する手法を提供する。【構成】プラズマ発生部と堆積させる基板とが分離している構造の、高密度プラズマ源を用いてフッ素化非晶質炭素膜を形成する。この様な高密度プラズマを用いた場合、成膜に寄与するラジカル密度を高くすることができるので、これにより成膜速度を上昇させることができる。またプラズマ発生部と堆積部とを分離することにより、イオンエネルギーを小さく抑えることができるため、エッチング反応が抑制され、水素源の添加無しにフッ素化非晶質炭素膜を堆積させることが可能となる。さらに堆積させる基板に高周波電力を印加し、バイアス電圧を変化させることにより、イオンのエネルギーを最適化させる事ができ、膜の耐熱性等の膜質向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いたフッ素化非晶質炭素膜の製造方法に関して、原料にCx Fy(x=1-4,y=4-8)ガスのみを用いて、しかもプラズマ源として当該炭素膜を堆積させる基板がプラズマ発生部外に存在する高密度プラズマを用いることを特徴とするフッ素化非晶質炭素膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/314 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/314 A , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-028000 Applicant：富士通株式会社

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