Pat

J-GLOBAL ID：200903018950021871

トレンチ分離構造を有するシリコンウェ-ハの製造方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  川合 幸夫 ,  酒井 慎介 ,  藤元 克祐 ,  小松 圭
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336175
Publication number (International publication number)：1997153543
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 トレンチ分離構造のシリコンウェーハの製造工程数を削減する。二酸化シリコン膜の化学的機械研磨での終点を明確にし正確な研磨を行う。二酸化シリコン膜およびウェーハ表面のディッシングを防止する。【解決手段】 シリコンウェーハ表面にトレンチを形成し、二酸化シリコン膜でトレンチを埋めるながらウェーハ表面をSiO2膜で被覆する。次に、酸化セリウムを含む研磨剤で化学的機械研磨を施し、SiO2膜表面を平坦にする。さらに、シリコン表面が現れるまでヒュームドシリカを含む研磨剤でSiO2膜を研磨する。疎水性のシリコン表面が露出すると、研磨を終了する。次に、アミンの入ったシリコン研磨剤で仕上げ研磨を施す。ディッシングが生じず平坦なシリコン表面と、角が丸みを帯びた二酸化シリコンの分離部分とが形成されたシリコンウェーハを得ることができる。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの表面にトレンチを形成し、このトレンチに絶縁膜を埋設したトレンチ分離構造を有するシリコンウェーハの製造方法であって、このシリコンウェーハの表面にトレンチを形成する工程と、このシリコンウェーハの表面を絶縁膜で被覆する工程と、この絶縁膜で被覆した後、この絶縁膜の表面を平坦化する工程と、このシリコンウェーハの表面が露出するまで絶縁膜表面を研磨する工程と、この絶縁膜の表面および露出したシリコンウェーハの表面を仕上げ研磨する工程と、を備えたトレンチ分離構造を有するシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/304 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• トレンチ素子分離領域の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-346572   Applicant：ソニー株式会社