Pat
J-GLOBAL ID:200903018977363405
新規な感酸性重合体及びこれを含有するレジスト組成物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
正林 真之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001376255
Publication number (International publication number):2002327021
Application date: Dec. 10, 2001
Publication date: Nov. 15, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 各種放射線を用いて微細加工に有用なレジストを組成するのに使用できる新規重合体及びこれを含有するレジスト組成物を提供する。【解決手段】 以下の化学式1で表示される感酸性重合体。前記式において、R1,R2,R6は炭素数1-34のアルキル基、アルコキシメチレン基、アルコキシエチレン基等を示し、R5は水素原子、炭素数1-18のアルキル基または炭素数1-18のアルコキシ基を示し、R7は水素原子、炭素数1-18のアルキル基、炭素数1-18のアルコキシ基を含んだアルキル基または炭素数1-18のエステル基を含んだアルキル基を示し、R3とR4は水素原子、ヒドロキシ基、ニトリル基、炭素数1-18のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数1-18のアルキル基等を示し、Xは炭素数1-40のオレフィン誘導体、炭素数1-40のビニルエーテル誘導体または炭素数1-40のスチレン誘導体を示す。
Claim (excerpt):
以下の化学式1で表示される感酸性重合体。【化1】(前記式において、R1,R2,R6は互いに独立的なもので、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、エポキシ基、ニトリル基またはアルデヒド基を含んでいてもよい炭素数1-34のアルキル基、アルコキシメチレン基、アルコキシエチレン基、フェニル基、アルコキシアルキレン基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アリル基、ベンジル基、アルキルベンジル基、アルコキシベンジル基または水素原子を示し、R5は水素原子、炭素数1-18のアルキル基または炭素数1-18のアルコキシ基を示し、R7は水素原子、炭素数1-18のアルキル基、炭素数1-18のアルコキシ基を含んだアルキル基または炭素数1-18のエステル基を含んだアルキル基を示し、R3とR4は互いに独立的なもので、水素原子、ヒドロキシ基、ニトリル基、アルデヒド基、ヒドロキシメチレン基、炭素数1-18のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数1-18のアルキル基、炭素数1-18のヒドロキシアルキレン基、炭素数1-18のアルコキシカルボニル基、炭素数1-18のアルコキシメチレン基または炭素数1-18のエーテル基を示し、Xは炭素数1-40のオレフィン誘導体、炭素数1-40のビニルエーテル誘導体または炭素数1-40のスチレン誘導体を示し(但し、この誘導体はヒドロキシ基、エステル基、アルコキシアルキルオキシカルボニル基、ケトン基またはエーテル基などが含まれる)、a,b,c,d,fはそれぞれ主鎖内に反復単位を示す数で、a+b+c+d+e+f=1で、aとbの含有比はそれぞれ独立的に0〜0.7で、(a+b)/(a+b+c+d+e+f)>0.3で、c,d,e,fの含有比はそれぞれ独立的に0〜0.9で、nは0または1である。)
IPC (4):
C08F222/00
, C08F 8/12
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (4):
C08F222/00
, C08F 8/12
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
F-Term (74):
2H025AA09
, 2H025AA10
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AB02Q
, 4J100AB02R
, 4J100AD07Q
, 4J100AD07R
, 4J100AE09R
, 4J100AJ09P
, 4J100AJ10Q
, 4J100AK32P
, 4J100AK32R
, 4J100AK32S
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL09R
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100AR11S
, 4J100AR32R
, 4J100BA02H
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02R
, 4J100BA03H
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA05Q
, 4J100BA15Q
, 4J100BA15R
, 4J100BA16Q
, 4J100BA16R
, 4J100BC04H
, 4J100BC04Q
, 4J100BC04R
, 4J100BC08H
, 4J100BC08Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC08S
, 4J100BC09H
, 4J100BC12H
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100CA31
, 4J100DA57
, 4J100DA62
, 4J100HA08
, 4J100HA11
, 4J100HA61
, 4J100HB25
, 4J100HB39
, 4J100HB52
, 4J100HC09
, 4J100HE05
, 4J100HE13
, 4J100HE14
, 4J100HE41
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-136918
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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