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J-GLOBAL ID：200903019015710142

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137133
Publication number (International publication number)：1994350199
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 P型II-VI族半導体膜と電極との間において、小さな電圧で必要な電流が流れるようにして、電力消費及び温度特性の改善を図る。【構成】 基板温度350°C以下で半導体N型層8、活性層5、半導体P型層9の順序でMBE成長したZnCdSSe系のII-VI族半導体膜2をN型GaAs基板1上に形成した後、II-VI族半導体膜2の成長時における基板温度以下の基板温度下で、前記半導体P型層9上に1019/cm3 以上のキャリア濃度を有するP型AlGaAs膜10とP型GaAs膜11とをその順序でMBE成長し、さらにその上に電極12を形成することにより、エネルギバンドのレベルが電極12からII-VI族半導体膜2へ順次段階的に高くなるように構成し、電流のエネルギー障壁の高さに対して指数関数的に減少するという特性を利用して電圧/電流特性を改善したもの。

Claim (excerpt)：

半導体N型層、活性層、半導体P型層がその順序で積層状に配された半導体膜をGaAs基板上に形成した半導体発光装置において、前記半導体膜を、前記GaAs基板上にMBE成長したZnCdSSe系またはMgZnCdSSe系のII-VI族半導体により形成し、このII-VI族半導体膜最上層の半導体P型層上に、MBE成長させてなるP型AlGaAs膜とP型GaAs膜とをその順序で積層状に形成し、さらに前記P型GaAs膜上に電極を形成したことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-200784
  
• 2-6族化合物半導体p形電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-012183   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016258   Applicant：株式会社東芝