Pat

J-GLOBAL ID：200903019087642710

3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： 家近 泰 ,  高田 朋幸 ,  小野 善伸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996066254
Publication number (International publication number)：1996325094
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】後処理を施さなくてもp型伝導を示す3-5族化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】有機金属原料ガスを用いてp型不純物を含む一般式Inx Gay Alz N(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体熱分解気相成長法において、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いるか、ハロゲン化水素、ハロゲン元素と5族元素の化合物、及びハロゲン元素と水素と5族元素の化合物からなる群から選ばれた少なくとも1つの化合物により反応炉内をエッチングした後、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いる方法より成る。

Claim (excerpt)：

有機金属原料ガスを用いた熱分解気相成長法による、p型不純物を含む一般式Inx Gay Alz N(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体の製造方法において、水素濃度が0.5容量%以下である不活性ガスをキャリアガスとして用いることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-065798
  
• 化合物半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-141807   Applicant：三菱化成株式会社