整合された磁気ベクトルを有するMRAM

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：本城雅則 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998533157
Publication number (International publication number)：2001510613
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Jul. 31, 2001
Summary：

【要約】磁気ベクトルがセルの長さに沿って整合される状態で、多層磁気記憶セルが提供される。磁気端部ベクトルを整合させるため、楕円形状が、記憶セルの両端部に形成される。長さに沿って整合される磁気ベクトルは、不連続部分または層の両端部において、高い磁界および磁極が形成されるのを阻止する。楕円形状を有する記憶セルは、磁界がセルに加えられるときに、磁気セルの磁気抵抗が一定を示し、記憶セルの電力消費量を低減する。

Claim (excerpt)：

磁気記憶セル内において、ある幅を有する磁気材料層であって、前記層の前記幅よりも長い長さを有する磁気材料層であって、前記磁気記憶セルは: 不連続部分において、高い磁界と磁極の形成を阻止する滑らかな曲線を描く両端部;および、前記層の前記幅は、前記磁気材料層内の磁壁の幅より小さく、前記磁気ベクトルは前記幅に沿った方向を指すことができない前記幅; によって構成され、前記層内の磁気ベクトルが、前記磁気材料層の前記長さに沿った方向を指すことを特徴とする記憶セル。

IPC (3)：

G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-149285
磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-214123 Applicant：三菱電機株式会社
磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022669 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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