Pat

J-GLOBAL ID：200903054064021492

磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置

Inventor： ケニス・ティン=ユアン・クン ,  デニー・ドゥアン=リー・タン ,  ワン・ポー・カン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022669
Publication number (International publication number)：1994295419
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 それぞれ基板22と、薄い非磁性金属材料層によって分離された2つの強磁性材料薄膜層24、28を含む多層構造とを備えた、複数のMR記憶素子を備えた非揮発性磁気抵抗(MR)記憶素子、アレイまたは装置の提供。【構成】 各記憶素子中の両方の強磁性層の磁化容易軸は、記憶素子のほぼ縦方向で、かつ印加されるセンス電流の方向にほぼ平行に配向される。一方の強磁性層の磁化方向は、記憶素子のほぼ縦方向である方向に固定され、他方の層の磁化方向は、磁化がその層の磁化方向に対してほぼ平行またはほぼ反平行である、2つのディジタル状態の間で自由に切り替わる。

Claim (excerpt)：

基板と、非磁性金属材料層によって分離された2つの強磁性材料層を含む、基板に付着された長方形の多層構造とを備えた非揮発性磁気抵抗記憶素子であって、両方の強磁性層の磁化容易軸が記憶素子のほぼ縦方向に配向され、一方の強磁性層の磁化が記憶素子のほぼ縦方向である1つの方向に固定され、他方の強磁性層の磁化が、印加される磁界に応じて、前記固定された1つの方向に対してほぼ平行な方向とほぼ反平行な方向との間で自由に切り替わることを特徴とする記憶素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-052111
  
• 磁性薄膜メモリおよびその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-234539   Applicant：三菱電機株式会社
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-063028   Applicant：三菱電機株式会社