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J-GLOBAL ID:200903019154013227

ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 真田 有
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004264198
Publication number (International publication number):2006077171
Application date: Sep. 10, 2004
Publication date: Mar. 23, 2006
Summary:
【課題】 n型有機半導体材料となり得る、電子吸引性に優れた高分子を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有させる。(式(1)中、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子又は1価の置換基を表わす。)【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有する ことを特徴とする、ベンゾトリアゾール構造含有高分子。
IPC (5):
C08G 61/00 ,  H01M 14/00 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (6):
C08G61/00 ,  H01M14/00 P ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
F-Term (55):
3K007DB03 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BB06 ,  4J032BC02 ,  4J032CA04 ,  4J032CA12 ,  4J032CA14 ,  4J032CA24 ,  4J032CG01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032EE04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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