ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264198
Publication number (International publication number)：2006077171
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 n型有機半導体材料となり得る、電子吸引性に優れた高分子を提供する。【解決手段】下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有させる。(式(1)中、R1〜R3はそれぞれ独立に水素原子又は1価の置換基を表わす。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記式(1)で表わされる構造を繰り返し単位として含有することを特徴とする、ベンゾトリアゾール構造含有高分子。

IPC (5)：

C08G 61/00 , H01M 14/00 , H01L 51/50 , H01L 51/05 , H01L 29/786

FI (6)：

C08G61/00 , H01M14/00 P , H05B33/14 A , H05B33/22 B , H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (55)：

3K007DB03 , 4J032BB01 , 4J032BB03 , 4J032BB06 , 4J032BC02 , 4J032CA04 , 4J032CA12 , 4J032CA14 , 4J032CA24 , 4J032CG01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032AS19 , 5H032BB07 , 5H032BB10 , 5H032EE04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光学デバイスで使用するためのベンゾトリアゾールを含む新規なポリマー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-505574 Applicant：チバスペシャルティケミカルズホールディングインコーポレーテッド
2,6-アズレン基を含むモノマー、オリゴマーおよびポリマー並びにこれらの電荷移動材料としての使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-357593 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
新規重合体、それを利用した発光素子用材料および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-096565 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特願2005-505479号(国際公開第2004-092246号)
Nickel-2,2'-bipyridyl and palladium-triphenylphosphine complex promoted synthesis of new π-conjugat

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