実装用半導体装置とその実装方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211731
Publication number (International publication number)：1997064237
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【構成】電極形成面に外部接続用の金属柱体またはバンプを備えた半導体素子3が樹脂封止されている半導体装置であって、前記金属柱体またはバンプ6が形成されている面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層または成形温度が100°C以上の樹脂フィルム層8が形成されており、該樹脂層または樹脂フィルム層の厚さが、前記金属柱体またはバンプ6の高さ以上の厚さに形成されている実装用半導体装置。【効果】前記熱硬化性樹脂層または樹脂フィルム層8が、金属柱体またはバンプ6に生ずる応力を分散できる均一絶縁層をプリント基板への実装時に容易に形成でき、はんだ接続信頼性を向上させる。また、半導体素子3全体が封止樹脂5と、前記熱硬化性樹脂層または樹脂フィルム層とにより完全密閉構造となっているので、耐湿信頼性に優れた実装用半導体装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

電極形成面に外部接続用の金属柱体またはバンプを備えた半導体素子が樹脂封止されている半導体装置であって、前記金属柱体またはバンプが形成されている面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層または成形温度が100°C以上の樹脂フィルム層が形成されており、該樹脂層またはフィルム層の厚さが、前記金属柱体またはバンプの高さ以上の厚さに形成されていることを特徴とする実装用半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/28 , H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 23/28 A , H01L 21/60 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-016148
特開平3-012942
特開平3-177034

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