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J-GLOBAL ID：200903019171750731

トンネル磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気ディスク装置

Inventor： 中 洋之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002348705
Publication number (International publication number)：2004185676
Application date： Nov. 29, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】抵抗値の温度勾配がフラットであり広い温度領域で安定したMR変化率を得ることができるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが-0.02%/°C<TC<0であるトンネル磁気抵抗効果ヘッド。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

フリー層と、ピンド層と、フリー層とピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを有し、抵抗値の温度係数TCが-0.02%/°C<TC<0であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果ヘッド。

IPC (2)：

G11B5/39 ,  H01L43/08

FI (2)：

G11B5/39 ,  H01L43/08 Z

F-Term (3)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強磁性トンネル接合素子の特性安定化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-237611   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-010770   Applicant：富士通株式会社
• 磁気記録再生ヘッドおよびそれを用いた磁気記憶装置並びにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-347096   Applicant：日本電気株式会社