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J-GLOBAL ID：200903004446048385

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法

Inventor： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001010770
Publication number (International publication number)：2002217471
Application date： Jan. 18, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に関し、強磁性トンネル接合の電流路に簡単な改変を施すことで、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実現しようとする。【解決手段】 下部強磁性層1A/絶縁層1B/上部強磁性層1Cからなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、該強磁性層1A及び1Cに挟まれた絶縁層1Dからなるトンネル電流路及び該トンネル電流路に並列に形成された電流路である並列直流抵抗2を備える。

Claim (excerpt)：

強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、該強磁性層に挟まれた該絶縁層からなるトンネル電流路及び該トンネル電流路に並列に形成された電流路を備えてなることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  2G017AD65 ,  2G017BA10 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330010   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-322041   Applicant：株式会社東芝