Pat
J-GLOBAL ID：200903019218424056

メッキによる電極形成方法、積層体及びこの積層体を用いた装置

Inventor：
大西 和夫

About 大西 和夫

, 
瀬和 信吾

About 瀬和 信吾


Applicant, Patent owner：
イーメックス株式会社

About イーメックス株式会社


Agent (1)： 宮崎 伊章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003208677
Publication number (International publication number)：2004197215
Application date： Aug. 25, 2003
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】固体電解質に形成される電極層の形成方法について、大きな電極表面積を有する電極層を得ることが可能な方法で、しかも、電極層の形成に要する工程数を短縮でき、人手も削減する電極層の形成方法を提供する。【解決手段】固体電解質成形品を挟んで金属塩溶液と還元剤溶液とが配され、前記金属塩溶液を前記固体電解質成形品に浸透させることにより、前記固体電解質成形品の還元剤溶液側の界面付近に金属を析出させて固体電解質成形品に電極を形成する電極形成方法を用いる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
固体電解質成形品を挟んで金属塩溶液と還元剤溶液とが配され、前記金属塩溶液を前記固体電解質成形品に浸透させることにより、前記固体電解質成形品の還元剤溶液側の界面付近に金属を析出させて固体電解質成形品に電極を形成する電極形成方法。
IPC (2)：
C23C18/16 ,  C23C18/31
FI (2)：
C23C18/16 A ,  C23C18/31 A
F-Term (12)：
4K022AA13 ,  4K022AA19 ,  4K022AA21 ,  4K022AA33 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA31 ,  4K022DA01 ,  4K022DA07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB15 ,  4K022DB18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
  • 特公昭56-036873
  • 特開昭62-199775
  • 特許第2961125号
Show all
Cited by examiner (14)
  • 特公昭56-036873
  • 特開昭62-199775
  • 特許第2961125号
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM