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J-GLOBAL ID：200903019293983370
位相シフトマスク、及び位相シフトマスクブランク
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997098045
Publication number (International publication number)：1998148929
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 耐酸性、耐光性、導電性、屈折率(膜厚)、透過率、位相シフト量及びエッチング選択性などの膜特性に優れた光半透過部を有するハーフトーン型位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスを提供する。【解決手段】 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスの光半透過部(光半透過膜3a)を、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成するとともに、この薄膜中の各構成要素の含有率(原子%)や比率を特定する。
Claim (excerpt)：
微細パターンを露光するためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を透過した光の位相をシフトさせて、該光半透過部を透過した光の位相と前記光透過部を透過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光半透過部と光透過部との境界部近郊を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを向上させる位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成するとともに、該薄膜を構成する物質の構成要素たるシリコンの含有率を34〜60原子%としたことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
