拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤吉一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154003
Publication number (International publication number)：1999350120
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線抵抗が小さく膜厚均一性に優れた銅配線膜を、大きなスパッタリングパワーの条件下で形成することが可能であるような高純度銅スパッタリングターゲット組立体及びその製造方法を提供する【解決手段】 Na及びK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。

Claim (excerpt)：

Na及びK含有量がそれぞれ0.1ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca,Mg含有量がそれぞれ1ppm以下、炭素及び酸素含有量がそれぞれ5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、ガス成分を除いた銅の含有量が99.999%以上である高純度銅ターゲット材とバッキングプレートを備え該ターゲットとバッキングプレートが固相拡散接合界面を有することを特徴とする固相拡散接合スパッタリングターゲット組立体。

IPC (2)：

C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (3)：

C23C 14/34 A , C23C 14/34 C , H01L 21/285 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-216350 Applicant：同和鉱業株式会社
特開平1-104769
拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282297 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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