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J-GLOBAL ID：200903033387670018

スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子

Inventor： 永田 長寿 ,  西野 勇
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216350
Publication number (International publication number)：1998060632
Application date： Aug. 16, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットにより配線された銅配線を持つ半導体素子を提供する。【解決手段】ガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅を基体金属として、酸素濃度0.1容量ppm以下の雰囲気で、上記基体金属の溶解と鋳造を行う。得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットとを得る。

Claim (excerpt)：

銅を主成分とするスパッタリングターゲットであって、0.001重量ppm以上、0.03重量ppm以下の酸素(O)を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181361   Applicant：同和鉱業株式会社
• 特開平3-140489
  
• 特開昭62-240785
  
• 特開平2-185990
  
• 特開平2-130949
  
• 単結晶磁性膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-054718   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-238265
  

Cited by examiner (1)

• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181361   Applicant：同和鉱業株式会社