磁気メモリデバイス、並びに磁気メモリデバイスの書込方法および読出方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002280094
Publication number (International publication number)：2004119638
Application date： Sep. 25, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】S/N比が高い読み出し信号出力を得ることが可能な磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの読出方法、並びに、S/N比が高い情報読み出しを可能とする磁気メモリデバイスの書込方法を提供する。【解決手段】記憶セル12は、1対の磁気記憶素子12A,12Bからなる。磁気記憶素子12A,12Bはそれぞれ、一端がセンスビット線21A,21Bに、他端が1対の逆流防止用ダイオード13A,13Bを介してセンスワード線31に接続される。センスワード線31の接地側に、定電流回路108Bが配設されている。定電流回路108Bは、センスワード線31を流れる電流を一定とする機能を有し、定電圧発生用のダイオード32,トランジスタ33および電流制限抵抗器34から構成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

複数の第1の書込線と、前記複数の第1の書込線とそれぞれ交差するように延びる複数の第2の書込線と、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に前記第1および第2の書込線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを含む複数の磁気抵抗効果素子とを備え、 1つの記憶セルが一対の前記磁気抵抗効果素子を含んで構成されていることを特徴とする磁気メモリデバイス。

IPC (3)：

H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , G11C11/15 120 , H01L43/08 Z

F-Term (15)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083HA07 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083ZA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075168 Applicant：株式会社東芝
完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-525006 Applicant：インテグレイテッドマイクロトランスデューサーエレクトロニクスコーポレイション

Cited by examiner (2)

磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075168 Applicant：株式会社東芝
完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-525006 Applicant：インテグレイテッドマイクロトランスデューサーエレクトロニクスコーポレイション

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