磁気メモリ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000075168
Publication number (International publication number)：2001266567
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】大きな信号電圧と大きなS/Nをもち、大容量化に寄与する新しい磁気メモリ装置の提供。【解決手段】第1磁化固着膜と、第1磁化固着膜と近接配置された第1トンネル絶縁膜と、第1トンネル絶縁膜を介して第1磁化固着膜と対向配置され外部磁界により磁化の向きが変わる第1磁性層を備える第1トンネル接合11a-1と、第1強磁性層と反強磁性結合して外部磁界によって磁化の向きが変わる第2磁性層、第2トンネル絶縁膜と、第2トンネル絶縁膜を介して第2磁性層に対向配置された第2磁化固着膜を備える第2トンネル接合11a-2を備え、常に第1トンネル接合と第2トンネル接合の一方が低抵抗、他方が高抵抗を維持する。読み出し電流は、セルトランジスタ16aを介して、第1トンネル接合と第2トンネル接合に分流され、その電流差あるいは負荷電圧の差をセンスアンプ17によって差動検出できる。

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定された第1強磁性磁化固着膜と、前記第1強磁性磁化固着膜と近接配置された第1トンネル絶縁膜と、前記第1トンネル絶縁膜を介して前記第1強磁性磁化固着膜と対向配置され、外部磁界により磁化の向きが変わる第1磁性層、前記第1強磁性層と反強磁性結合し、前記外部磁界により磁化の向きが変わる第2磁性層、及び前記第1及び第2強磁性層間に配置され前記第1及び第2磁性層を反強磁性結合させる非磁性導電層を備えた磁気記憶膜と、前記磁気記憶膜に近接配置された第2トンネル絶縁膜と、前記第2トンネル絶縁膜を介して前記第2磁性層に対向配置された第2強磁性磁化固着膜とを備えるトンネル接合素子、前記磁気記憶膜に電気接続する第1配線、前記第1強磁性磁化固着膜に電気接続する第2配線、及び前記第2強磁性磁化固着膜に電気接続する第3配線を備えることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (6)：

G11C 11/15 , H01F 10/06 , H01F 10/26 , H01F 10/32 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08

FI (8)：

G11C 11/15 , H01F 10/06 , H01F 10/26 , H01F 10/32 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08 A , H01L 43/08 P , H01L 43/08 Z

F-Term (17)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AC00 , 5E049BA06 , 5E049DB14 , 5E049DB20 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA12 , 5F083GA30 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気メモリ素子、この磁気メモリ素子の情報記録方法および情報記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-334168 Applicant：沖電気工業株式会社
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-259967 Applicant：日本電気株式会社
磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-344274 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in e

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