固体撮像装置及びその形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070537
Publication number (International publication number)：1999274454
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】ホトダイオードと転送スイッチ間のバイパス領域の濃度と幅を精度よく形成し、ダイナミックレンジを広げることを課題とする。【解決手段】 ?@一主表面を含む半導体基板上にある第1導電型の第1の領域と、該第1の領域内に第2導電型の第2の領域と、該第2の領域と主表面との間にある第1導電型の第3の領域とからなる光電変換部と、?A該第1の領域内にあって第2導電型を有する第4の領域と、?B該光電変換部に蓄積された信号電荷を該第4の領域に転送するための該第1の領域と、該第1の領域上の絶縁膜と、該絶縁膜上の制御電極とからなる電荷転送部と、を少なくとも有する固体撮像装置において、前記光電変換部と前記電荷転送部は第2導電型を有する第5の領域を介して接続されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

?@一主表面を含む半導体基板上にある第1導電型の第1の領域と、該第1の領域内に第2導電型の第2の領域と、該第2の領域と主表面との間にある第1導電型の第3の領域とからなる光電変換部と、?A該第1の領域内にあって第2導電型を有する第4の領域と、?B該光電変換部に蓄積された信号電荷を該第4の領域に転送するための該第1の領域と、該第1の領域上の絶縁膜と、該絶縁膜上の制御電極とからなる電荷転送部と、を少なくとも有する固体撮像装置において、前記光電変換部と前記電荷転送部は前記第2導電型を有する第5の領域を介して接続されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 1/028 , H04N 1/19

FI (4)：

H01L 27/14 A , H04N 1/028 A , H01L 31/10 H , H04N 1/04 103 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-198756
線形固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248370 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
固体撮像装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-141853 Applicant：株式会社東芝

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