固体撮像装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995141853
Publication number (International publication number)：1996335690
Application date： Jun. 08, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】製造工程数を増加させることなく残留電荷の発生を防止することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板のP型領域10中に一次元的に配列させて形成された感光画素11からなる画素列12と、この画素列12の両側にそれぞれ形成されたCCDレジスタ13,14と、画素列12からCCDレジスタ13,14への電荷の転送を制御するためにこの画素列12とこのCCDレジスタ13,14との間の領域上に設けられたシフト電極16,17とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、画素列12の各感光画素を形成する領域の一部を覆う凸部を備えるようにシフト電極16,17を形成する工程と、シフト電極16,17の凸部16a,17aをマスクとしたイオン注入を行うことによってN型領域11aを形成した後、この凸部16a,17aをマスクとして画素列12の配列方向に沿って所定の入射角度でイオン注入を行うことによってP型領域11bを形成することにより、画素列12の各感光画素11を形成する工程とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板の第1導電型不純物領域中に一次元的に配列させて形成された感光画素からなる画素列と、この画素列の両側にそれぞれ形成されたCCDレジスタと、前記画素列から前記CCDレジスタへの電荷の転送を制御するためにこの画素列とこのCCDレジスタとの間の領域上に設けられたシフト電極とを備えた固体撮像装置の製造方法であって、前記画素列の各感光画素を形成する領域の一部を覆う凸部を備えるように前記シフト電極を形成する工程と、前記シフト電極の前記凸部をマスクとしたイオン注入を行うことによって第2導電型不純物領域を形成した後、この凸部をマスクとして前記画素列の配列方向に沿って所定の入射角度でイオン注入を行うことによって第1導電型不純物領域を形成することにより、前記画素列の各感光画素を形成する工程と、を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 , H01L 21/265

FI (2)：

H01L 27/14 B , H01L 21/265 V

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

固体撮像装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-204342 Applicant：株式会社東芝

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