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J-GLOBAL ID:200903019423880897

突起部高さ測定方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994306383
Publication number (International publication number):1996159721
Application date: Dec. 09, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は突起部高さ測定装置に関し、半導体チップ上のバンプの高さを精度良く測定することを目的とする。【構成】 レーザ源61と、光偏向素子81と、位置検出素子22Aと、変調回路89と、全体の動作を制御するマイクロコンピュータ88とを有する。光偏向素子81は、レーザ光をバンプ12-1,12-2を有する半導体装置10に対して走査させる第1の走査と第2の走査を行う。第1の走査においては、光強度が一定のレーザ光を走査させ、反射レーザ光の光強度の変化に基づいて、バンプ12-1,12-2の位置を求める。第2の走査は、第1の走査の結果に基づいて変調されたレーザ光を走査させて行う。レーザ光は、バンプ12-1,12-2を走査するときには、光強度が一時的に高まるように変調されている。従って、第2の走査時には、バンプ12-1,12-2からの反射レーザ光の光強度が高められ、チップ11からの反射レーザ光の光強度と同程度とされる。この第2の走査時の位置検出素子22Aの出力に基づいて、バンプ高さを演算して求めるよう構成する。
Claim (excerpt):
基板上に突起部を有する測定対象物を、レーザ源から出射したレーザ光によって走査し、反射したレーザ光を位置検出素子で受光し、該位置検出素子の出力信号を利用し、三角測量の原理により、上記突起部の高さを測定する方法において、変調されていないレーザ光でもって上記測定対象物を走査する第1の走査工程と、該第1の走査工程における該測定対象物からの反射レーザ光を受光した上記位置検出素子の出力信号に基づいて上記突起部の位置を検出する突起部位置検出工程と、上記突起部位置検出工程によって検出した突起部の位置に対応して、上記レーザ源を変調させ、上記突起部を走査するときには光強度が増大するように変調された変調レーザ光でもって、上記測定対象物を走査する第2の走査工程と、該第2の走査工程における該測定対象物からの反射レーザ光を受光した上記位置検出素子の出力信号を利用して、上記三角測量の原理により、上記突起部の高さを演算して求める突起部高さ演算工程とよりなる構成としたことを特徴とする突起部高さ測定方法。
IPC (3):
G01B 11/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/321
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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