集積回路装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊沢敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176237
Publication number (International publication number)：1993343613
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】キャパシタを有する集積回路装置において、単位面積当りのキャパシタンスを増大させると共にキャパシタンスのばらつきを低減する。【構成】半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上にAl等の一方の電極層16Aを形成した後、電極層16Aを覆って堆積絶縁膜18及び塗布絶縁膜20を順次に形成する。絶縁膜18,20の積層においてキャパシタを形成すべき部分に選択エッチング処理により孔を設けた後、この孔を覆って絶縁膜26を被着してから絶縁膜26の上に他方の電極層28Aを形成する。キャパシタは、電極層16A,28Aの間に誘電体として絶縁膜26を配置した構成になる。耐圧を高めるには、上方に向けて孔サイズを増大するように絶縁層24Aを設けたり、電極層16Aの表面層を高融点金属又はそのシリサイドで構成したりするとよい。

Claim (excerpt)：

集積回路が形成された基板と、この基板の絶縁性表面の上に形成され、前記集積回路に接続されたキャパシタとをそなえた集積回路装置において、前記キャパシタは、前記絶縁性表面の上に形成された一方の電極層と、この一方の電極層を覆って前記絶縁性表面の上に形成された第1の絶縁膜であって該一方の電極層の一部に対応した孔を有するものと、この第1の絶縁膜の孔内で前記一方の電極層を覆って形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜を介して前記一方の電極層に対向するように形成された他方の電極層とで構成されることを特徴とする集積回路装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-144958
特開平3-133170
特開平3-203261

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