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J-GLOBAL ID：200903019480020977

成膜方法

Inventor： 塩澤 順一 ,  布野 栄 ,  石原 勝則 ,  櫻井 良信 ,  綱島 祥隆 ,  齋田 繁彦 ,  犬宮 誠治 ,  小澤 良夫 ,  池川 寛晃 ,  米川 司 ,  齋藤 幸正
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282013
Publication number (International publication number)：2000100809
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 複数層よりなる絶縁膜を同一の成膜装置内で連続的に形成でき、しかも、薄くても非常に絶縁性に優れた絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なう。これにより、複数層よりなる絶縁膜を同一の成膜装置内で連続的に形成でき、しかも、薄くても非常に絶縁性に優れた絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なうようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 M

F-Term (30)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA02 ,  5F058BA11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF64 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-101049   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-107463
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-310841   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-167092   Applicant：株式会社東芝