半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998167092
Publication number (International publication number)：1999074485
Application date： Jun. 15, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いたキャパシタにおけるリーク電流を低減化を図ること。【解決手段】減圧CVD法によりシリコン窒化膜4を形成する際に、原料ガスとして四塩化シリコンとアンモニアとの混合ガスを使用することにより、シリコン窒化膜4がSi-H結合を実質的に含まないようにし、シリコン窒化膜4中の水素面密度を1×1015cm-2以下とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜と、を具備し、前記シリコン窒化膜は、Si-H結合を実質的に含まないことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/318

FI (5)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/318 B , H01L 21/318 M , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 625 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-122610 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-095445 Applicant：新日本製鐵株式会社
窒化シリコン膜の形成方法およびその窒化シリコン膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221141 Applicant：日本真空技術株式会社

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