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J-GLOBAL ID：200903019483106589

マスクパターン補正結果検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置

Inventor：
稲津 隆敏

About 稲津 隆敏


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003396868
Publication number (International publication number)：2005157043
Application date： Nov. 27, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：
【課題】 マスクパターン補正結果検証の処理効率向上を図ることが可能なマスクパターン補正検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置を提供する。【解決手段】 領域切取り手段107、露光シミュレーション手段108、レジストモデル作成手段109、OPC処理手段110、ORC処理手段111、EDツリーとマージンカーブ作成手段112、及びレジストパターン寸法計測手段113を有するマスクパターン補正結果検証部と、マスクパターン補正結果検証するレイアウトパターン格納手段115、マスクパターン補正結果検証に利用するパラメータ格納手段116、マスクパターン補正結果検証の実行結果格納手段118、及びレジストモデルを格納するレジストモデル格納手段117を有するデータベース部と、レイアウトエディタ104、パラメータ入力部105、結果表示部106を有するグラフィックユーザインタフェース部103とを備える。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
補正の対象となる領域のマスクパターンを切取る第1ステップと、 OPCを実行する時に利用するレジストモデルを作成する第2ステップと、 このレジストモデルを参照して、第1ステップによる切取領域内の補正対象マスクパターンに対してOPC処理を施す第3ステップと、 この第3ステップ後に、 レジストモデルを利用して、補正後マスクパターンがレジスト上に転写されるパターンを計算で予測する露光シミュレーションを実行する第4ステップ、または 露光シミュレーション実行結果に対するレジストパターンの寸法を自動計測する第5ステップ、または 補正後マスクパターンで転写したレジストパターンがある範囲内の寸法となるための露光量とデフォーカスの関係を表すEDツリー及びマージンカーブを作成する第6ステップ、または 前記第4、第5及び第6ステップを実行する前に、補正後のマスクパターンに対して、レジストパターンとオリジナルの設計パターンとのズレを検出するORC処理を施す第7ステップ、 を備え、 前記第1ステップ乃至第7ステップを実行するために必要なパラメータを指示することにより所望のステップが自動で実行できることを特徴とするマスクパターン補正結果検証方法。
IPC (2)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 514Z
F-Term (4)：
2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  5F046AA25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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