張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340326
Publication number (International publication number)：1996186166
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】従来と同等以上の平坦性を持つ張り合わせ面を、従来よりもきわめて簡単な方法で得る。張り合わせ誘電体分離ウェーハを短時間に製造する方法を提供する。【構成】シリコンウェーハ21の鏡面に誘電体分離用のV字溝23を、さらに酸化膜24を形成する。高温CVD法でポリシリコン膜25を成長させ、その表面を研削する。研削面にSOG26をスピンコーティングし、アニールする。SOGによる酸化膜26の表面の粗さをTTVで1.6〜2.2μm、LTVで0.4〜1.0μm程度とする。酸化膜26の表面を鏡面研磨してもよい。酸化膜26と支持ウェーハ22の鏡面とを室温で重ね合わせて密着させ、シリコンウェーハ21を支持ウェーハ22に張り合わせた後、張り合わせ熱処理を行う。さらに、シリコンウェーハの裏面を研削、研磨して酸化膜24の一部を露出させ、単結晶シリコン層を絶縁分離する。

Claim (excerpt)：

誘電体分離島を有するシリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせることにより、誘電体分離ウェーハを製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハの表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に高温CVD法によりポリシリコン膜を形成する工程と、このポリシリコン膜を研削加工する工程と、このポリシリコン膜の研削面上に絶縁物を含む流動体をスピン塗布する工程と、この塗布した絶縁物表面を支持ウェーハ表面に重ね合わせることにより、シリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/762 , C30B 33/06 , H01L 21/02 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-217940
特開平3-265153
誘電体分離基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295962 Applicant：株式会社日立製作所, 三菱マテリアルシリコン株式会社

Show all

Return to Previous Page