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J-GLOBAL ID：200903019556104679

集積回路用絶縁体とその製造方法

Inventor： スティーヴン・アラン・コーエン ,  ヴィンセント・ジェームズ・マックガヒー ,  ロナルド・ロバート・ウッテヒト
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995300988
Publication number (International publication number)：1996213461
Application date： Nov. 20, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 流動性酸化物を硬化させ、さらにアニールすることによって形成した、半導体デバイスを備える半導体基板上の表面内の相互接続配線レベルを被覆する絶縁体を提供する。【解決の手段】 水素シルセスキオキサンを含む流動性酸化物は、窒素中で硬化した後、酸素およびアルミニウムの存在下でアニールすると、前記酸化物層の誘電率が3.2未満になる。また、硬化させアニールした酸化物層を利用して、隣接するデバイス間の電気的絶縁を行う。この場合、アニールを行うのに、水素とともにアルミニウムを併用することもしないこともある。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを含む半導体基板上の表面内の相互接続配線レベルを被覆する絶縁体において、前記相互接続配線レベルを被覆する第1の流動性酸化物層を備え、前記流動性酸化物を硬化させてアニールすること、および前記流動性酸化物を水素およびアルミニウムの存在下でアニールし、水素を前記流動性酸化物層内に拡散させて前記第1の流動性酸化物層の誘電率を3.2未満に減少させることを特徴とする絶縁体。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Si-O含有皮膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-223289   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-164056   Applicant：新日本製鐵株式会社