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J-GLOBAL ID：200903098803639316

Si-O含有皮膜の製造方法

Inventor： デビッド スティーブン バランス ,  ロバート チャールズ カミレッティ ,  ダイアナ カイ ダン
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994223289
Publication number (International publication number)：1995187640
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エレクトロニクス基板上に、改善された性質、例えば安定な誘電率を有するSi-O含有セラミック皮膜を形成する。【構成】 ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂から誘導されたSi-O含有セラミック皮膜を水素ガスで処理する。

Claim (excerpt)：

次のことを含むエレクトロニクス基板上のSi-O含有皮膜の形成方法:エレクトロニクス基板上にハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を含む皮膜を塗布し;前記被覆されたエレクトロニクス基板を、前記ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂をSi-O含有セラミック皮膜に変換するに充分な温度に加熱し;そして前記Si-O含有セラミック皮膜を、この皮膜をアニールするに充分な時間及び温度で水素ガス含有ガスアニール用雰囲気に曝す。

IPC (3)：

C01B 33/00 ,  C04B 35/04 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 超小形電子デバイスおよび基材用コーテイング
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-021076   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-シヨン
• 特開平4-275337