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J-GLOBAL ID：200903019567345503

半導体レーザ装置

Inventor： 中原 宏治 ,  大家 彰 ,  土屋 朋信 ,  芳賀 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999120853
Publication number (International publication number)：2000312051
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】注入電流の横方向への拡散を効果的に抑えることによって閾値電流を低くし、かつ、低コストの新規な半導体レーザ装置を提案すること。【解決手段】 基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。別に、基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、反射構造を活性層を挟んで上下に設けた多層反射鏡によって形成し、上部の多層反射鏡を頂部が基板面に平行な面をなす突起構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域を上部の多層反射鏡の直下に設定する。

Claim (excerpt)：

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを有し、上部の光閉じ込め層がリッジ構造をなす端面発光型の半導体レーザ装置において、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、前記活性層の領域がリッジ構造の直下に設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 662 ,  H01L 33/00 C

F-Term (28)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71 ,  5F041CA72 ,  5F041CB06 ,  5F041FF14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA15 ,  5F073CA17 ,  5F073DA12 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• リッジ型半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-124945   Applicant：三菱電機株式会社
• 面発光半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-119651   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-256388
  
• 特開平2-077184