リッジ型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124945
Publication number (International publication number)：1997307182
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】電流閉じ込めと光閉じ込めを別々に制御でき、かつリッジ部両側の残し厚部分に電流が広がるのを防止することにより、低しきい値化、高効率化が可能なリッジ型半導体レーザを提供する。【解決手段】 P-InP基板1上に、P-InPクラッド層2、活性層3およびリッジ型層(4、6)を順次積層し、リッジ型層が高抵抗領域であるFe-InP層4とこれに不純物を拡散またはイオン注入して形成されたリッジ部を構成する導電領域であるn-InP層6とからなる。

Claim (excerpt)：

基板上にクラッド層、活性層およびリッジ型層が順次積層され、上記リッジ型層がリッジ部を形成する導電領域とこれの両側の高抵抗領域からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭63-164484
特開昭58-071679
特開平2-203583

Show all

Return to Previous Page