半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336044
Publication number (International publication number)：1995202184
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MOS型電界効果トランジスタおよびその製造方法に関し,ゲート電極のシート抵抗値を下げ,動作速度を高速化できるようにする。【構成】ソース領域2およびドレイン領域3を有し,ソース領域2およびドレイン領域3間のチャネル領域上にゲート酸化膜4を介して第1ゲート電極5が形成されている。この第1ゲート電極5の側壁に,頭頂部を残してサイドウォール6a,6bが形成されている。第1ゲート電極5の頭頂部を第2ゲート電極7が被覆している。

Claim (excerpt)：

ソース領域およびドレイン領域を有し,該ソース領域およびドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されたMOS型電界効果トランジスタであって,ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と,該第1のゲート電極の側壁を頭頂部を残して被覆するサイドウォールと,前記第1のゲート電極の頭頂部を被覆する第2のゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/43 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/46 D , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-186733
特開昭61-029176
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272754 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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