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J-GLOBAL ID：200903019637328016

エネルギバンド急変層を有した半導体素子

Inventor：
加納 浩之

About 加納 浩之


Applicant, Patent owner：
カナレ電気株式会社

About カナレ電気株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998299277
Publication number (International publication number)：2000124443
Application date： Oct. 21, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】キャリアの反射層として機能する多重周期層の反射率を向上させること。【解決手段】第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広い第2層Bとを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、第1層Wと第2層Vとの境界に、第1層Wと第2層Bの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられている。δ層により、第1層Wと第2層Bの間のエネルギギャップを急峻とすることができるので、第1層Wと第2層Bとを多重周期で積層した多重周期層の反射率を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、前記第1層と前記第2層との境界には、前記第1層と前記第2層の厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられていることを特徴とする半導体素子。
IPC (5)：
H01L 29/201 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/34
FI (5)：
H01L 29/201 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 676 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 31/04 E
F-Term (24)：
5F040DA01 ,  5F040DA02 ,  5F040DA03 ,  5F040DC01 ,  5F040EE06 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA66 ,  5F051AA08 ,  5F051CB08 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073CA06 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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