Pat
J-GLOBAL ID：200903019715496575
半導体ダイヤモンドの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999237132
Publication number (International publication number)：2001064094
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ダイヤモンドへの粒子線照射により、確実に半導体ダイヤモンドを得ることが出来る半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド基板8に粒子線を照射して半導体ダイヤモンドを製造する方法において、粒子線を照射する際、ダイヤモンド基板8の温度を300°C以上2000°C以下に保ち、ダイヤモンド基板8の被照射面とダイヤモンド基板8の(001)結晶面とがなす角度を-20°〜+20°とし、かつ粒子線が照射される方向とダイヤモンド基板8の<001>結晶方位とがなす角度を-20°〜+20°とする。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド基板または基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に粒子線を照射して半導体ダイヤモンドを製造する方法であって、前記粒子線を照射する際、前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の温度を300°C以上2000°C以下に保ち、前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の前記粒子線が照射される面と前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の(001)結晶面とがなす角度を-20°〜+20°とし、かつ前記粒子線が照射される方向と前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の<001>結晶方位とがなす角度を-20°〜+20°とすることを特徴とする、半導体ダイヤモンドの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/04 N
, C30B 33/04
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077FD06
, 4G077FE11
, 4G077FH05
Cited by examiner (1)
-
半導体ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-186076
Applicant：松下電器産業株式会社
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
