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J-GLOBAL ID：200903019716850577

半導体モジュールの温度検出装置

Inventor：
安保 正治

About 安保 正治


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996198199
Publication number (International publication number)：1998038964
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体モジュールの発熱温度検出を行う場合、素子毎に温度検出回路を設ける必要があるため温度検出回路規模が大きくなる。また、サーミスタを用いる場合、間接的温度測定になるので、温度応答性が悪く検出誤差が大きい。【解決手段】 IGBT素子12a〜12c毎に配列され、その温度に直接応答するダイオード14a〜14cを並列接続し、単一の温度検出回路16に接続する。その結果、全てのIGBT素子の温度が上昇した場合でも、特定の1つのIGBT素子の温度が上昇した場合でも所定誤差範囲内でその温度変化を迅速に検出できる。また、温度検出回路16の共有化が可能になり、装置の小型化を行うことができる。
Claim (excerpt)：
複数の素子からなる半導体モジュールの温度検出を行う温度検出装置において、各素子に設けられたダイオードであって、互いに並列に接続された温度検出用ダイオードと、並列接続された前記温度検出用ダイオードが接続され、該温度検出用ダイオードの出力電圧に基づいて前記半導体モジュールの温度検出を行う温度検出回路と、を有することを特徴とする半導体モジュールの温度検出装置。
IPC (4)：
G01R 31/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02M 1/00
FI (4)：
G01R 31/26 G ,  G01R 31/26 C ,  H02M 1/00 R ,  H01L 27/04 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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