半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998195171
Publication number (International publication number)：2000031185
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ICウェハーを研削した際に生じたマイクロクラックが半田バンプ形成時に進行してウェハーの割れ不良が多発する。【解決手段】 ICウェハー1上の所定位置に複数個のパッド電極2を形成する半導体素子形成工程と、パッド電極2上に半田層5を形成する工程と、半田層5上にフラックス6を塗布する工程と、半田層5を所定の温度でリフローして半田層を丸める半田バンプ形成工程と、バックグラインド用テープ3を半田バンプ7側に貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、ICウェハー1を所定の厚みに研削するバックグラインド工程と、前記テープ3をICウェハー1から剥離するバックグラインド用テープ剥離工程と、IC能動面のフラックス6を除去するフラックス洗浄工程とからなる半導体装置の製造方法。研削したSiカスが付着しない。半田リフロー後に研削するのでウェハーの割れが発生しない。

Claim (excerpt)：

フリップチップ半導体装置の製造方法において、ICウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記ICウェハーのパッド電極上に半田メッキにより半田層を形成する工程と、前記半田層を被覆するフラックス塗布工程と、前記半田層を所定の温度でリフローして半田層を丸める半田バンプ形成工程と、前記ICウェハーのグラインド面と平行にバックグラインド用テープをフラックスで被覆された半田バンプ側に貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、前記テープの他方の面をグラインダ装置の研削テーブルに貼着しICウェハーを所定の厚みに研削するバックグラインド工程と、前記バックグラインド用テープをICウェハーから剥離するバックグラインド用テープ剥離工程と、前記IC能動面のフラックスを除去するフラックス洗浄工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 21/304 631

FI (3)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/304 631 , H01L 21/92 604 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-319489 Applicant：株式会社デンソー
特開昭63-084141
特開昭63-293952

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