Pat
J-GLOBAL ID:200903019737988196
ハフニウム酸化膜形成用前駆体、ハフニウム酸化膜の形成方法、キャパシタ構造体、トランジスタ構造体及び電子素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
磯野 道造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003292164
Publication number (International publication number):2004104111
Application date: Aug. 12, 2003
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】 ハフニウム酸化膜形成用前駆体及び前記前駆体を利用したハフニウム酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 四塩化ハフニウムと窒素化合物とが結合されたことを特徴とするハフニウム酸化膜形成用前駆体により、電気的特性を改善しつつ低温蒸着が可能であり、蒸着速度が向上して向上した段差被覆性を示すハフニウム酸化膜形成用前駆体、この前記前駆体を利用したハフニウム酸化膜の形成方法及び前記前記形成方法が得られる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
四塩化ハフニウムと窒素化合物とが結合されたことを特徴とするハフニウム酸化膜形成用前駆体。
IPC (10):
H01L21/316
, C07F7/00
, C23C14/08
, C23C14/58
, C23C16/40
, H01L21/822
, H01L21/8242
, H01L27/04
, H01L27/108
, H01L29/78
FI (9):
H01L21/316 X
, C07F7/00 Z
, C23C14/08 F
, C23C14/58 Z
, C23C16/40
, H01L27/10 651
, H01L27/10 621Z
, H01L29/78 301G
, H01L27/04 C
F-Term (54):
4G048AA02
, 4G048AB01
, 4G048AC02
, 4G048AD02
, 4G048AE08
, 4H049VN07
, 4H049VP01
, 4H049VQ41
, 4H049VR33
, 4H049VR51
, 4H049VU24
, 4H049VU36
, 4H049VW02
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BC00
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029GA01
, 4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA10
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030LA02
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AV06
, 5F038DF05
, 5F038EZ20
, 5F058BA09
, 5F058BC03
, 5F058BF17
, 5F058BF53
, 5F058BF63
, 5F058BJ04
, 5F083AD21
, 5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083PR23
, 5F140AA39
, 5F140AB09
, 5F140AC32
, 5F140BD11
, 5F140BE01
, 5F140BE05
, 5F140BE07
, 5F140BE10
, 5F140BE16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-122174
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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