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J-GLOBAL ID:200903019776988071

蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中西 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001154669
Publication number (International publication number):2002348658
Application date: May. 23, 2001
Publication date: Dec. 04, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、薄膜形成時のみ蒸着材料を加熱する構成とし、かつ短時間で蒸発を開始できる蒸着源を提供することを目的とする。さらに、安定性及び生産性の高い薄膜形成方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 蒸着材料を収納する材料容器と材料容器内の蒸着材料を加熱する加熱機構からなる蒸着源において、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータは、該材料容器の上方に配置し、該容器内の蒸着材料の表面に放射し、該輻射ヒータの輻射熱により直接加熱することを特徴とする。輻射ヒータの表面をセラミック系材料とするのが好ましい。また、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータと前記材料容器は、どちらか一方が両者を近接又は離脱可能にする移動機構を備えており、薄膜形成時は該輻射ヒータと該材料容器を近接させ、薄膜形成後は離脱させることを特徴とする。
Claim (excerpt):
蒸着材料を収納する材料容器と材料容器内の蒸着材料を加熱する加熱機構からなる蒸着源において、該蒸着材料を加熱する輻射ヒータは、該材料容器の上方に配置し、該容器内の蒸着材料の表面に放射し、該輻射ヒータの輻射熱により直接加熱することを特徴とする蒸着源。
IPC (2):
C23C 14/24 ,  H01L 21/203
FI (2):
C23C 14/24 B ,  H01L 21/203 Z
F-Term (13):
4K029BA62 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB12 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  5F103AA01 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103LL20 ,  5F103RR01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-198290   Applicant:神港精機株式会社
  • セラミックヒータ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-122588   Applicant:京セラ株式会社
  • 特開昭50-010288
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