配線形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996014902
Publication number (International publication number)：1997213698
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線形成方法に関し、配線パターン溝内に金属を埋め込んで配線を形成する場合、研磨剤の材料と洗浄剤の材料を適切に選択することで、砥粒が残ったり、配線の密着性が損なわれたり、溝内を埋める配線のシームが開いたりすることがないようにする。【解決手段】配線パターン溝10Aが形成された層間絶縁膜10上にCu膜を形成し、CuOを砥粒とする研磨剤を用いて前記Cu膜を研磨して前記配線パターン溝10A内にCu配線11を形成する。

Claim (excerpt)：

配線パターン溝が形成された絶縁膜上にCu、W、Alなどの酸化可能な金属膜を形成する工程と、CuOを砥粒とする研磨剤を用いて前記金属膜を研磨して前記配線パターン溝内に金属配線を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 S , H01L 21/304 321 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

研磨方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-000220 Applicant：富士通株式会社

Return to Previous Page