研磨方法および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000220
Publication number (International publication number)：1997186119
Application date： Jan. 05, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜を研磨して平坦化する工程を含み、導体パターンに対しても、また絶縁膜に対してもMnO2 を砥粒とする研磨材を適用し、効率的に研磨するとともに、後処理工程を簡素化ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】砥粒としてMnO2 を含む研磨材を使った研磨工程を含む半導体装置の製造方法において、構造中にSiとOのネットワークを含む絶縁層上に形成された段差を、前記MnO2 を含む研磨材を使って研磨することにより平坦化する工程を含む。

Claim (excerpt)：

砥粒としてMnO2 を含む研磨剤を使った研磨工程を含む半導体装置の製造方法において、前記研磨工程は、構造中にSiとOを含む絶縁層を、前記MnO2 を含む研磨剤を使って研磨することにより平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24D 3/00 320

FI (4)：

H01L 21/304 321 P , H01L 21/304 321 Z , B24B 37/00 H , B24D 3/00 320 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-260086 Applicant：ビューラーリミテッド
静電チャックの表面研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031846 Applicant：東陶機器株式会社
特開平2-100320

Show all

Cited by examiner (8)

メカノケミカル研摩用研摩剤、および材料片を研摩する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-260086 Applicant：ビューラーリミテッド
静電チャックの表面研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031846 Applicant：東陶機器株式会社
特開平2-100320

Show all

Return to Previous Page