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J-GLOBAL ID：200903019875263569

オゾン、水素発生方法及び発生装置

Inventor： 大見 忠弘 ,  澤本 勲 ,  笠間 泰彦 ,  三森 健一 ,  今岡 孝之 ,  山中 弘次 ,  白井 泰雪
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  株式会社コアテクノロジー ,  株式会社フロンテック ,  オルガノ株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998138679
Publication number (International publication number)：1999335883
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の電解ガス発生装置では、オゾンガス中の水素ガス濃度が高く最近の半導体における高密度化に伴う洗浄の安定化に対し対応出来なかった。本発明は、常に安定に、高純度なオゾンガス、及び水素ガスを簡単に製造しうる方法、及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 オゾン及び水素ガス発生部1にて製造されたオゾンガス,水素ガスは、各々オゾンガス導管11、水素ガス導管17に導かれ途中に設けられた圧力調整機構10,16により圧力(2.0kg/cm2以内)が調整され、これにより高純度ガスとなって供給する事が可能となった。

Claim (excerpt)：

その両側にそれぞれ多孔質の陽極物質、及び、陰極物質を配置させ、その間に固体電解質を配置し、陽極側に純水を供給して電解する事により陽極側よりオゾンガスと酸素ガスを、又、陰極側より水素ガスを製造する電解ガス発生装置において、常に陽極側の圧力が陰極側の圧力より大きく且つ、その差が2.0kg/cm2以内になる様に、陽極側の圧力、及び/又は、陰極側の圧力を制御することを特徴とするオゾン、水素発生方法。

IPC (5)：

C25B 1/30 ,  C01B 13/10 ,  C25B 1/10 ,  C25B 9/00 302 ,  C25B 11/03

FI (5)：

C25B 1/30 ,  C01B 13/10 Z ,  C25B 1/10 ,  C25B 9/00 302 ,  C25B 11/03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 水電解方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-018752   Applicant：ペルメレック電極株式会社
• オゾン水製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-203635   Applicant：三菱重工業株式会社
• 特開平4-088182