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J-GLOBAL ID:200903019899275380

高周波スイッチ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994297075
Publication number (International publication number):1996162801
Application date: Nov. 30, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 小型化・低消費電流化・低コスト化が可能で、確実に所望の特性を得ることができ、単一のコントロール電源のみで動作し、インピーダンス整合回路が不必要な、ダイバーシティ対応の高周波スイッチを提供することである。【構成】 高周波スイッチZ2は、誘電体層1〜22上にダイオードD1〜D4が搭載され、コンデンサ電極31〜45,49〜64,66〜72,81〜83,85〜87、ストリップライン電極46〜48,74〜79、グランド電極65,73,80,84,88、アンテナ用外部電極89,94、送信回路用外部電極91、受信回路用外部電極95,99、コントロール用外部電極90,92,93,96,98,99、グランド用外部電極97が形成され、さらに各誘電体層1〜22が積層されてなる。
Claim (excerpt):
5つのポートを有し、該5つのポートのうち、第1のポートと第2のポートの接続の切り換えと、前記第1のポートと第3のポートの接続の切り換え、及び前記第3のポートと第4のポートの接続の切り換えと、前記第4のポートと第5のポートの接続の切り換えを行うための高周波スイッチにおいて、複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に前記5つのポートを形成するとともに高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極と前記5つのポートと前記高周波デバイスとに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した分布定数線路を形成し、該分布定数線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなることを特徴とする、高周波スイッチ。
IPC (3):
H01P 1/15 ,  H04B 1/18 ,  H04B 1/44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 高周波スイッチ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-022683   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 高周波スイッチ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-358137   Applicant:株式会社村田製作所
  • 高周波スイッチ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-358138   Applicant:株式会社村田製作所

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