集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001519484
Publication number (International publication number)：2003508897
Application date： Aug. 24, 2000
Publication date： Mar. 04, 2003
Summary：

【要約】所望の材料の上に選択的堆積を行うための方法を開示する。特に、バリア材料が、導電表面と比べて絶縁表面上に選択的に形成される。コンタクト形成及びトレンチフィルに関連して、詳細にはダマシン及びデュアルダマシンメタライゼーションに関連して、本方法によって、バリア材料(26)により絶縁表面(12、13)の内側を覆うことが、有利である。絶縁表面(12、13)上にバリアを形成した後開口部(22)内に導電材料(18)をさらに堆積させると金属間が直接接続されるようにするために、選択的形成は、堆積を「ボトムレス」にし、従って、ビア底部(10)の導電材料(20)を露出した状態にしておくことを可能とする。望ましくは、選択的堆積は、原子層成長(ALD)により達成され、その結果、開口部内における絶縁側壁(12、13)が高コンフォーマルカバレッジになる。

Claim (excerpt)：

原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法であって、該方法は、第1の表面及び第2の表面を備える堆積基板を準備すること、及び、前記堆積基板を少なくとも2つの反応物流体に交互に繰り返し晒すことによって、前記第2の表面と比べて選択的に前記第1の表面をコーティングすることを含み、前記第1の表面及び第2の表面は、異なる材料組成を有している、原子層成長プロセスを利用して層を選択的に堆積する方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/285 Z , C23C 16/44 A , H01L 21/205 , H01L 21/90 A

F-Term (111)：

4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030DA02 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104DD31 , 4M104DD33 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH08 , 4M104HH13 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH26 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ26 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ35 , 5F033JJ36 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033QQ92 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033VV10 , 5F033XX02 , 5F033XX05 , 5F033XX13 , 5F045AA00 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045BB19 , 5F045HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

超微細周期構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-003712 Applicant：学校法人立命館

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