超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法および製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002069018
Publication number (International publication number)：2003002635
Application date： Mar. 13, 2002
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 c軸配向性を有する超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜、その製造方法を提供する。【解決手段】 (a)基板上にボロン薄膜を形成する段階と、(b)ボロン薄膜が形成された基板とマグネシウム供給源とを熱処理した後、これらを冷却させる段階とを含むことを特徴とする超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法である。本発明によれば、c軸配向性を有する結晶相および優れた超伝導体特性を有する二ホウ化マグネシウム薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

(a)基板上にボロン薄膜を形成する段階と、(b)ボロン薄膜が形成された基板とマグネシウム供給源とを熱処理した後、これらを冷却させる段階とを含むことを特徴とする超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 35/04 , C01G 1/00 , H01L 39/12 , H01L 39/24 ZAA

FI (4)：

C01B 35/04 C , C01G 1/00 S , H01L 39/12 A , H01L 39/24 ZAA B

F-Term (11)：

4G047JA03 , 4G047JC16 , 4G047KD10 , 4G047KG05 , 4M113AD36 , 4M113BA04 , 4M113BA15 , 4M113BA18 , 4M113BA29 , 4M113CA16 , 4M113CA43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

二硼化マグネシウム超伝導材の合成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-564167 Applicant：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-001948 Applicant：科学技術振興事業団, 秋光純
超伝導材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-075781 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Cited by examiner (1)

二硼化マグネシウム超伝導材の合成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-564167 Applicant：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Epitaxial MgB2 superconducting thin films with a transition temperature of 39 Kelvin

Return to Previous Page