光取出率を改善するための発光デバイスにおける光学エレメントの形成

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098327
Publication number (International publication number)：2003017740
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザの形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。光学エレメントを形成する別の方法であるスタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子によって放射される光に作用を及ぼすよう、前記半導体発光素子の少なくとも一つの面にフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザのうちの少なくとも一つを形成する工程を含む、発光デバイスを形成する方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , G02B 5/18

FI (2)：

H01L 33/00 A , G02B 5/18

F-Term (30)：

2H049AA03 , 2H049AA04 , 2H049AA26 , 2H049AA33 , 2H049AA37 , 2H049AA40 , 2H049AA60 , 2H049AA63 , 5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041AA07 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA36 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CB04 , 5F041CB14 , 5F041CB15 , 5F041CB22 , 5F041CB36 , 5F041DA09 , 5F041DC83 , 5F041FF06 , 5F041FF11 , 5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レンズ一体型半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082087 Applicant：オムロン株式会社
半導体発光素子並びに光ファイバモジュール装置および半導体発光素子ディスプレイ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-179099 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-119275

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