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J-GLOBAL ID：200903019977420987

炭化ケイ素半導体へのドナー不純物をドープする方法

Inventor： 大島 武 ,  伊藤 久義 ,  梨山 勇
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280573
Publication number (International publication number)：1999121393
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 炭化ケイ素半導体(SiC)にリン原子をドナー不純物としてドープする方法に関するものであり、リン原子を高温度でイオン注入することで、注入したリン原子の電気的活性化度を上げようとするものである。【解決手段】 炭化ケイ素半導体にリン原子を高温でイオン注入する際に、そのイオン注入の温度が1,200°C以上である炭化ケイ素半導体へのリン原子不純物をドープする方法。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素半導体にリン原子を高温でイオン注入することを特徴とする炭化ケイ素半導体へのリン原子不純物をドープする方法。

FI (2)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 不純物原子の導入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-256821   Applicant：松下電器産業株式会社, 大阪ダイヤモンド工業株式会社
• 特開平4-199616
  
• 特開昭64-019669
  
• 特開昭64-008270