Pat
J-GLOBAL ID：200903020073986148
マイクロエレクトロニクス用途のための非アミン系フォトレジスト密着促進剤
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996516961
Publication number (International publication number)：1999511900
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：
【要約】重合体薄膜に対する密着性を改善した基板を提供する方法が開示されている。本方法は、少なくとも1つのアルキルシリル部分と、反応可能な少なくとも1個の加水分解可能な基と、を有する少なくとも1種のオルガノシラン化合物を、基板と反応させて前記基板をシリル化することを包含している。この反応から加水分解可能な副産物が発生する場合、そのpHは約7以下である。
Claim (excerpt)：
重合体材料に対する密着性を改善したシリル化された基板を提供する方法であって、 少なくとも1つのアルキルシリル部分を有する少なくとも1種のオルガノシラン化合物と基板とを、前記基板をシリル化するために十分な条件の下で反応させることを包含し、 前記アルキルシリル部分が、ケイ素に結合された少なくとも1個の加水分解可能な脱離基を有しており、 前記加水分解可能な基が前記基板と反応してpHがおよそ7以下の副産物を生成できることを特徴とする方法。
IPC (4)：
H01L 21/027
, G03F 7/075
, G03F 7/085
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 563
, G03F 7/075
, G03F 7/085
, G03F 7/38 501
