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J-GLOBAL ID：200903020103804112

プラズマ処理装置

Inventor：
西本 伸也

About 西本 伸也


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999152678
Publication number (International publication number)：2000340548
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ランニングコストが低いプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 内筒部6は、プラズマによってスパッタリングされた場合でも汚染が発生し難い誘電体材料である石英で形成した円筒状の内筒本体6aを備えており、該内筒本体6aの内周面に、プラズマによってスパッタリングされ難く、スパッタリングされた場合でも汚染が発生し難い材料であるアルミナを溶射した耐プラズマ層6cが形成してある。また、内筒本体6aの外周面に、アルミニウム等、マイクロ波を反射する材料を用いてなるマイクロ波反射層6bが形成してある。また、保護リング8は、内筒部6と同様に、石英で形成した保護リング本体8aの内周面に、アルミナを溶射した耐プラズマ層8cが形成してあり、保護リング本体8aの外周面にマイクロ波反射層8bが形成してある。
Claim (excerpt)：
マイクロ波窓で開口を封止してなる有底筒状の容器内へ、前記マイクロ波窓を透過させてマイクロ波を導入することによって容器内にプラズマを生成し、生成したプラズマによって前記容器内に配した被処理物を処理する装置において、誘電体で形成した筒体が、該筒体の開口を前記マイクロ波窓に対向させて、前記容器内のプラズマを生成させる領域を取り囲むように配置してあり、筒体の外周面に、マイクロ波を反射するマイクロ波反射層が設けてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B
F-Term (16)：
4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DK03 ,  4K057DM14 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM29 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004CA06 ,  5F004CB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • ECRプラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-221745   Applicant：株式会社日立製作所, 日立エンジニアリング株式会社
  • プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057472   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平3-093696
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