プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057472
Publication number (International publication number)：1996255783
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】処理室内面がプラズマにより変質したり重金属汚染源となるのを防止すると共に、プラズマ処理特性を経時的に安定させるプラズマ処理方式を提供する。【構成】プラズマ発生装置1と、減圧可能な処理室4と、処理室にガスを供給する処理ガス供給装置13と、試料11を保持する試料台10と、真空排気装置9より成るプラズマ処理装置において、処理室4が、減圧に耐える外筒5と、その内側に隙間14を介して配置された内筒6とを備え、外筒にヒータ21、温度制御手段22を設けた。内筒としては、重金属を含まない非磁性金属材料、またはセラミックス、カーボン、シリコン、石英材料からなる内筒を用いる。ヒータ21、温度制御手段22により外筒を加熱して内筒の温度を所望値に制御する。【効果】内筒の温度を所望値、例えば100°C〜350°Cに制御するので、処理室の表面温度も所望値に持されるために、エッチング特性が安定する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生装置と、減圧可能な処理室と、処理室にガスを供給する処理ガス供給装置と、試料を保持する試料台と、真空排気装置より成るプラズマ処理装置において、前記処理室が、減圧に耐える外筒と、該外筒の内側に隙間を介して配置された内筒と、該内筒の温度を所定の範囲に保持する温度制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , C30B 25/10 , C30B 25/16

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , C30B 25/10 , C30B 25/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-095828
減圧処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-190858 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開昭58-153332

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