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J-GLOBAL ID：200903020114721634

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 杉山 尚宏 ,  堀 三郎 ,  加納 浩之
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993141456
Publication number (International publication number)：1994333830
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の良好な炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。【構成】 炭化珪素単結晶よりなり、炭化珪素を成長させるための種結晶3と、炭化珪素の原料4とを、種結晶3の温度が炭化珪素の原料4の温度よりも低くなるように加熱することにより、種結晶3の表面に炭化珪素単結晶を生成する方法において、種結晶3の近傍に金属珪素5を配置する。

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶よりなり、炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶と、炭化珪素の原料とを、種結晶の温度が炭化珪素の原料の温度よりも低くなるようにして加熱することにより、炭化珪素の原料を昇華させて種結晶の表面に炭化珪素単結晶を生成させる炭化珪素単結晶の製造方法において、上記種結晶の近傍に金属珪素を配置することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化ケイ素単結晶基板製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037209   Applicant：日新製鋼株式会社