SiC単結晶の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003315361
Publication number (International publication number)：2005082435
Application date： Sep. 08, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】成長条件の変動に対して高い安定性で平坦な成長表面を持つ単結晶を成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、Al、Ga、In、As、Sb、Au、AgおよびPtから成る群から選択したいずれか1種の金属を1wt%〜30wt%添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、Al、Ga、In、As、Sb、Au、AgおよびPtから成る群から選択したいずれか1種の金属を1wt%〜30wt%添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B29/36 , C30B19/04

FI (2)：

C30B29/36 A , C30B19/04

F-Term (8)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EJ09 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平4-193798号公報(特許請求の範囲)

Cited by examiner (1)

炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-164061 Applicant：住友金属工業株式会社

Return to Previous Page