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J-GLOBAL ID：200903043016804750

炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法

Inventor： 楠 一彦 ,  寺尾 公一
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164061
Publication number (International publication number)：2002356397
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶多形および結晶欠陥の少ない高品質なSiCのバルク単結晶を実効的な速度で安定して製造する方法を提供する。【解決手段】 Siを含む原料を融解した融液にSiC単結晶基板を接触させ基板上にSiC単結晶を成長させる方法において、大気圧下または加圧下で炭化水素を含むガスを前記融液に供給し、かつ融液の温度と比べて基板と融液との接触部を低温にする。

Claim (excerpt)：

Siを含む原料を融解した融液にSiC単結晶基板を接触させ基板上にSiC単結晶を成長させる方法において、大気圧下または加圧下で炭化水素を含むガスを前記融液に供給し、かつ融液の温度に比べて基板と融液との接触部を低温にすることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/208

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/208 D

F-Term (18)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077HA06 ,  4G077QA34 ,  5F053AA03 ,  5F053AA22 ,  5F053BB04 ,  5F053BB21 ,  5F053BB57 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 単結晶引上げ方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-062248   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 窒化物系化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-053048   Applicant：日立電線株式会社
• 炭化硅素結晶の液相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288946   Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (3)

• 単結晶引上げ方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-062248   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 窒化物系化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-053048   Applicant：日立電線株式会社
• 炭化硅素結晶の液相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288946   Applicant：三菱電線工業株式会社